Ⅲ类半导体瓷介电容器
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产品名称:
Ⅲ类半导体瓷介电容器
产品型号:
产品展商:
佛山市皓华电子有限公司
简单介绍
主要特点:
表观介电常数（ε）很大，约7000~100000，色散频率高，电容量温度曲线平缓，tgδ值较大，额定电压UR较低，约12V—50V。
主要用途:
用于超高频，甚高频电路中作宽带旁路耦合等。
Ⅲ类半导体瓷介电容器的详细介绍
主要特点:
表观介电常数（ε）很大，约7000~100000，色散频率高，电容量温度曲线平缓，tgδ值较大，额定电压UR较低，约12V—50V。
主要用途:
用于超高频，甚高频电路中作宽带旁路耦合等
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